BJT versus FET
Zowel BJT (Bipolar Junction Transistor) als FET (Field Effect Transistor) zijn twee soorten transistors. Transistor is een elektronisch halfgeleiderapparaat dat een grotendeels veranderend elektrisch uitgangssignaal geeft voor kleine veranderingen in kleine ingangssignalen. Door deze kwaliteit kan het apparaat zowel als versterker als schakelaar worden gebruikt. Transistor werd uitgebracht in 1950 en kan worden beschouwd als een van de belangrijkste uitvindingen in de 20e eeuw, gezien zijn bijdrage aan de ontwikkeling van IT. Er zijn verschillende soorten architecturen voor transistor getest.
Bipolaire junctie-transistor (BJT)
BJT bestaat uit twee PN-overgangen (een overgang gemaakt door een halfgeleider van het type ap en een halfgeleider van het n-type te verbinden). Deze twee knooppunten worden gevormd door drie halfgeleiderstukken met elkaar te verbinden in de volgorde van PNP of NPN. Er zijn voor twee soorten BJT's bekend als PNP en NPN beschikbaar.
Op deze drie halfgeleiderdelen zijn drie elektroden aangesloten en de middelste leiding wordt 'basis' genoemd. Andere twee knooppunten zijn 'emitter' en 'collector'.
In BJT wordt de stroom van de grote collector-emitter (Ic) geregeld door de kleine basis-emitterstroom (IB) en deze eigenschap wordt benut om versterkers of schakelaars te ontwerpen. Daarom kan het worden beschouwd als een stroomgestuurd apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkercircuits.
Veldeffecttransistor (FET)
FET bestaat uit drie terminals die bekend staan als 'Gate', 'Source' en 'Drain'. Hier wordt de afvoerstroom geregeld door de poortspanning. Daarom zijn FET's spanningsgestuurde apparaten.
Afhankelijk van het type halfgeleider dat wordt gebruikt voor source en drain (in FET zijn beide gemaakt van hetzelfde halfgeleidertype), kan een FET een N-kanaal- of P-kanaalapparaat zijn. De stroom van bron naar afvoer wordt geregeld door de kanaalbreedte aan te passen door een geschikte spanning op de poort aan te leggen. Er zijn ook twee manieren om de kanaalbreedte te regelen, bekend als uitputting en verbetering. Daarom zijn FET's beschikbaar in vier verschillende typen, zoals N-kanaal of P-kanaal met ofwel depletie- of verbeteringsmodus.
Er zijn veel soorten FET's zoals MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) en IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET), dat het resultaat was van de ontwikkeling van nanotechnologie, is het nieuwste lid van de FET-familie.
Verschil tussen BJT en FET
1. BJT is in feite een door stroom aangedreven apparaat, hoewel FET wordt beschouwd als een spanningsgestuurd apparaat.
2. Terminals van BJT staan bekend als emitter, collector en basis, terwijl FET is gemaakt van gate, source en drain.
3. In de meeste nieuwe toepassingen worden FET's gebruikt dan BJT's.
4. BJT gebruikt zowel elektronen als gaten voor geleiding, terwijl FET er slechts één gebruikt en daarom unipolaire transistors wordt genoemd.
5. FET's zijn energiezuiniger dan BJT's.
