BJT versus IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) en IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zijn twee soorten transistors die worden gebruikt om stromen te regelen. Beide apparaten hebben PN-overgangen en verschillen in apparaatstructuur. Hoewel beide transistors zijn, hebben ze aanzienlijke verschillen in kenmerken.
BJT (bipolaire junctie-transistor)
BJT is een type transistor dat bestaat uit twee PN-overgangen (een overgang gemaakt door een halfgeleider van het type ap en een halfgeleider van het n-type te verbinden). Deze twee knooppunten worden gevormd door drie halfgeleiderstukken met elkaar te verbinden in de volgorde van PNP of NPN. Daarom zijn er twee soorten BJT's, bekend als PNP en NPN, beschikbaar.
Op deze drie halfgeleiderdelen zijn drie elektroden aangesloten en de middelste leiding wordt 'basis' genoemd. Andere twee knooppunten zijn 'emitter' en 'collector'.
In BJT wordt de stroom van de grote collector-emitter (I c) geregeld door de kleine basis-emitterstroom (I B), en deze eigenschap wordt benut om versterkers of schakelaars te ontwerpen. Daarom kan het worden beschouwd als een stroomgestuurd apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkercircuits.
IGBT (geïsoleerde poort bipolaire transistor)
IGBT is een halfgeleiderapparaat met drie terminals die bekend staan als 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Het is een type transistor, dat een hoger vermogen aankan en een hogere schakelsnelheid heeft, waardoor het zeer efficiënt is. IGBT is in de jaren tachtig op de markt geïntroduceerd.
IGBT heeft de gecombineerde kenmerken van zowel MOSFET als bipolaire junctie-transistor (BJT). Het is poortgestuurd zoals MOSFET en heeft stroomspanningskenmerken zoals BJT's. Daarom heeft het de voordelen van zowel een hoge stroomafhandelingscapaciteit als een gemakkelijke bediening. IGBT-modules (bestaande uit een aantal apparaten) kunnen kilowatt aan vermogen verwerken.
Verschil tussen BJT en IGBT
1. BJT is een stroomgestuurd apparaat, terwijl IGBT wordt aangestuurd door de poortspanning
2. Terminals van IGBT staan bekend als zender, verzamelaar en poort, terwijl BJT is gemaakt van zender, verzamelaar en basis.
3. IGBT's zijn beter in belastbaarheid dan BJT
4. IGBT kan worden beschouwd als een combinatie van BJT en een FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT heeft een complexe apparaatstructuur vergeleken met BJT
6. BJT heeft een lange geschiedenis vergeleken met IGBT
